Samsung anticipa el salto a la tecnología FinFET de 10 nm para sus procesadores

Samsung-Exynos_SoC

Los futuros procesadores Exynos contarán con litografia de 10 nm FinFET.

Samsung lleva ya varios años afianzándose como un fabricante de semiconductores, lanzando componentes electrónicos bastante competentes como procesadores, memorias, unidades de almacenamiento, entre otros. Sus procesadores Exynos se han destacado por un rendimiento, prueba de ello es su elección para ser el corazón de sus buques insignia de este año,  el Galaxy S6 y S6 Edge. En su constante carrera por mejorar sus procesadores, la compañía coreana ha anunciado el salto hacia la siguiente generación de procesadores con litografía de 10 nm tipo FinFET.

El anuncio anterior va dirigido a sus clientes que utilizan estos procesadores, ya que como mencionábamos, esta división ha crecido en capacidad y ya no solo vemos sus procesadores en equipos propios, si no en equipos de terceros e incluso manufacturando con diseños de otras compañías, como el caso de Apple. Samsung planea que en 2017 lleguen al mercado estos procesadores, para competir con otros fabricantes como TSMC que también anunció procesadores con esta tecnología.

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Este movimiento supone un adelanto a sus planes para comenzar a utilizar este método de fabricación, el cual se dio debido al anuncio que realizó TSMC con anterioridad, esperando que para finales de 2016 sus nuevos chips entren en producción.

Con la tecnología FinFET de 10 nm los SoC que encontraremos en nuestros dispositivos móviles en 2017 serán más pequeños y por tanto con una reducción en las temperaturas de estos componentes, mejorando notablemente su eficiencia energética y al mismo tiempo permitiendo un aumento en el rendimiento.

vía FudZilla.