Hardware

Samsung inicia producción de módulos DDR4 de 128 GB

 

Samsung presenta módulos DDR4 de 128 GB
Samsung presenta módulos DDR4 de 128 GB

Las memorias RAM son un elemento importante de la computación moderna, cuya generación actual es la DDR4. Esta generación ha representado un importante salto debido a que requiere un menor consumo energético, pero genera una mayor frecuencia de reloj.

Las memorias DDR4 se encuentran disponibles comúnmente en pequeños DIMMs de 4, 8 y hasta 16 GB, pero Samsung ha llegado más lejos, pues la compañía anunció el inicio de la producción en masa de los primeros módulos RDIMM DDR4 de 128 GB enfocados en los servidores empresariales.

Los módulos TSV DDR4 RDIMM de 128 GB de Samsung cuentan con un total de 144 chips DDR4 organizados en 36 secciones de 4 GB DRAM. Cada sección integra cuatro chips de 8 gigabits fabricados con tecnología de 20 nanómetros, y ensamblados con la tecnología TSV, ofreciendo velocidades de 2,400 Mbps.

Estos módulos utilizan la tecnología
Estos módulos utilizan la tecnología through silicon via

La tecnología de conexión utilizada por Samsung en estos módulos es denominada through silicon via (TSV, por las siglas en inglés). Dicha tecnología permite conectar verticalmente los chips DRAM mediante electrodos que penetran en cientos de pequeños orificios en lugar de cables.

Durante 2014, Samsung logró utilizar esta misma tecnología para producir módulos de 64 GB igualmente enfocados al segmento empresarial, pero este año la firma ha logrado duplicar dicha capacidad para crear una nueva solución con mejor eficiencia y más rendimiento.

Por el momento, Samsung no ofreció detalles sobre los precios que tendrían estos nuevos módulos DDR4, aunque es claro que no serán nada económicos ni asequibles dado que están enfocados principalmente a servidores.

Más información en Samsung

Artículos relacionados

Back to top button